王欣然教授（南京大学）学术报告

各位老师：

您好！

2021年10月27日（下周三）下午王欣然教授（南京大学）学术报告，欢迎师生参加！

个人简介：王欣然，南京大学电子科学与工程学院教授、副院长，国家杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。2004年本科毕业于南京大学物理系，2010年获得美国斯坦福大学物理学博士学位，2010-2011年期间先后在斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后研究员，2011年回到南京大学工作。主要从事低维信息材料、器件与集成电路的研究工作，在Science、Nature子刊和IEDM等国际权威期刊和会议发表论文100余篇，总引用超过20000次，多次入选全球高被引学者榜单。先后获得江苏青年五四奖章、中国青年五四奖章、中国青年科技奖、江苏省科学技术一等奖、国家自然科学二等奖、中国物理学会黄昆物理奖、 “万人计划”科技创新领军人才等荣誉。现任全国青联委员，江苏省青联副主席，江苏省青年科技工作者协会副会长，国际学术期刊npj 2D materials and applications副主编，Nano Research、中国科学：信息科学、半导体学报等期刊编委。

报告摘要：2D semiconductor transition-metal dichalcogenides are promising candidates in future electronics due to unmatched device performance at atomic limit and low-temperature heterogeneous integration. To adopt these emerging materials in computing and optoelectronic systems, back end of line (BEOL) integration with mainstream technologies is urgently needed. In this talk, I will present our recent results to address the challenges in material growth, device technology and BEOL integration towards advanced electronics and optoelectronics.

欢迎老师和同学们参加！